行業動態
背景技術：
目前使用的壓力/差壓傳感器封裝基座存在以下缺陷：1、2個或者2個以下充油管(孔)，只能封裝一個或兩個傳感器，且兩個傳感器中只能是一個通大氣(表壓)的方式，對精度要求高的場合，實際使用受限；2、只能用于帶膜盒的差壓傳感器，無法延用傳統壓力封裝工藝：快速電阻焊密封工藝，不可獨自做壓力傳感器基座。
技術實現要素：
針對現有技術的不足，本發明的目的在于提出一種傳感器基座，以提高其適用范圍。
為實現上述目的，本發明提供的傳感器基座包括基座主體、側向通路、第一連接管和第二連接管，所述第一連接管的一端部插入基座主體內，另一端部露出于基座主體的一端面，所述基座主體的另一端面與第一連接管的一端部通過第一通路連通；所述第二連接管的一端部插入基座主體內，另一端部露出于基座主體的一端面，所述基座主體的另一端面與第二連接管的一端部通過第二通路連通；
所述基座主體內開設有第三通路和第四通路，所述第三通路的一端部與第四通路的一端部相連通，所述第三通路的另一端部和第四通路的另一端部分別貫穿至基座主體的兩個端面；
所述基座主體的端面分別設置有第一封裝孔、第二封裝孔和第三封裝孔，所述第一封裝孔、第二封裝孔和第三封裝孔分別與第一通路、第二通路和第三通路連通；
所述側向通路位于基座主體內，并與所述第一通路垂直連通。
在本發明的一些實施例中，所述基座主體的兩個端面上還貫穿有多個耐壓絕緣引腳。
在本發明的一些實施例中，所述基座主體的設置有第一封裝孔、第二封裝孔和第三封裝孔的端面向內凹陷。
在本發明的一些實施例中，所述基座主體與耐壓絕緣引腳之間設置有絕緣燒結填料。
在本發明的一些實施例中，所述基座主體內設置有導料槽，所述導料槽用于固定第一連接管和第二連接管。
在本發明的一些實施例中，所述第四通路的直徑大于第三通路的直徑，從而使第三通路11與第四通路12形成T型通路。
在本發明的一些實施例中，所述第一通路的直徑大于第一連接管的內徑，且所述第一連接管的外徑大于第一通路的直徑。
在本發明的一些實施例中，所述第二通路的直徑大于第二連接管的內徑，且第二連接管的外徑大于第二通路的直徑。
本發明有效解決了現有技術中的問題，能同時封裝表壓，差壓，絕壓中的任意2種芯片，再加上多種溫度傳感器，可作為傳統擴散硅表壓基座，也可做為復合多參數傳感器基座。在需要同時測量溫度，大氣壓，差壓的場合或者同時測量差壓和大氣壓和溫度的場合尤其適合。
目前使用的壓力/差壓傳感器封裝基座存在以下缺陷：1、2個或者2個以下充油管(孔)，只能封裝一個或兩個傳感器，且兩個傳感器中只能是一個通大氣(表壓)的方式，對精度要求高的場合，實際使用受限；2、只能用于帶膜盒的差壓傳感器，無法延用傳統壓力封裝工藝：快速電阻焊密封工藝，不可獨自做壓力傳感器基座。
技術實現要素：
針對現有技術的不足，本發明的目的在于提出一種傳感器基座，以提高其適用范圍。
為實現上述目的，本發明提供的傳感器基座包括基座主體、側向通路、第一連接管和第二連接管，所述第一連接管的一端部插入基座主體內，另一端部露出于基座主體的一端面，所述基座主體的另一端面與第一連接管的一端部通過第一通路連通；所述第二連接管的一端部插入基座主體內，另一端部露出于基座主體的一端面，所述基座主體的另一端面與第二連接管的一端部通過第二通路連通；
所述基座主體內開設有第三通路和第四通路，所述第三通路的一端部與第四通路的一端部相連通，所述第三通路的另一端部和第四通路的另一端部分別貫穿至基座主體的兩個端面；
所述基座主體的端面分別設置有第一封裝孔、第二封裝孔和第三封裝孔，所述第一封裝孔、第二封裝孔和第三封裝孔分別與第一通路、第二通路和第三通路連通；
所述側向通路位于基座主體內，并與所述第一通路垂直連通。
在本發明的一些實施例中，所述基座主體的兩個端面上還貫穿有多個耐壓絕緣引腳。
在本發明的一些實施例中，所述基座主體的設置有第一封裝孔、第二封裝孔和第三封裝孔的端面向內凹陷。
在本發明的一些實施例中，所述基座主體與耐壓絕緣引腳之間設置有絕緣燒結填料。
在本發明的一些實施例中，所述基座主體內設置有導料槽，所述導料槽用于固定第一連接管和第二連接管。
在本發明的一些實施例中，所述第四通路的直徑大于第三通路的直徑，從而使第三通路11與第四通路12形成T型通路。
在本發明的一些實施例中，所述第一通路的直徑大于第一連接管的內徑，且所述第一連接管的外徑大于第一通路的直徑。
在本發明的一些實施例中，所述第二通路的直徑大于第二連接管的內徑，且第二連接管的外徑大于第二通路的直徑。
本發明有效解決了現有技術中的問題，能同時封裝表壓，差壓，絕壓中的任意2種芯片，再加上多種溫度傳感器，可作為傳統擴散硅表壓基座，也可做為復合多參數傳感器基座。在需要同時測量溫度，大氣壓，差壓的場合或者同時測量差壓和大氣壓和溫度的場合尤其適合。
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